Görsel mevcut değil
IGB10N60TATMA1
IGB10N60TATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGB10N60TATMA1, NPT Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistörüdür. 600V maksimum kollektör-emiter breakdown voltajı ve 20A sürekli kollektör akımı ile şekillendirilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi içinde sunulan transistör, güç elektronikleri devrelerinde, inverter, konvertör ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 110W maksimum güç derecelendirmesi, -40°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilir. 12ns açılış ve 215ns kapanış gecikmesi ile kontrol uygulamalarında hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
62 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
110 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
430µJ
Td (on/off) @ 25°C
12ns/215ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V