Görsel mevcut değil
IGB03N120H2ATMA1
IGB03N120H2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGB03N120H2ATMA1, 1200V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış tekil IGBT transistördür. Maksimum kolektör akımı 9.6A, en yüksek disipasyon gücü 62.5W olan bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olup (Td on/off: 9.2ns/281ns), -40°C ile +150°C arasında çalışmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.8V'tur. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu IGBT, 290µJ anahtarlama enerjisi ile verimli çalışma sağlar. Son satın alma (Last Time Buy) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.9 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
62.5 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V