Görsel mevcut değil
IGB01N120H2ATMA1
IGB01N120H2ATMA1 Hakkında
IGB01N120H2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.2A kollektör akımı ve 28W güç yeteneğine sahiptir. Gate charge değeri 8.6nC ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir (Td on/off: 13ns/370ns @ 25°C). Vce(on) maksimum 2.8V @ 15V, 1A şartlarında ölçülmüştür. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 140µJ switching energy ile düşük enerji kaybı sağlayan bir tasarıma sahiptir. Last Time Buy statüsü ile üretim sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
3.5 A
Gate Charge
8.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
28 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
140µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/370ns
Test Condition
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V