HY1904D (HY1904), N-kanal güç MOSFET yapısında, düşük RDS(on) değerine sahip anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış transistördür. TO-252 (DPAK) paket tipindedir ve SMD montaja uygundur.
Maksimum 40V Drain-Source gerilimi (VDS) ve 72A sürekli drain akımı (ID) destekler. 62.5W maksimum güç dağılımı ve 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığı değerine sahiptir.
Düşük iletim kaybı için maksimum 6 mΩ RDS(on) değerine sahiptir. 51.5 nC toplam gate yükü (Qg) ve 28 ns rise time değerleri ile yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.
DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, batarya koruma devreleri ve genel güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
| Ürün Kodu | HY1904D |
| Transistör Tipi | N-Channel MOSFET |
| Maks. Drain-Source Gerilimi (Vds) | 40 V |
| Maks. Gate-Source Gerilimi (Vgs) | ±20 V |
| Maks. Drain Akımı (Id) | 72 A |
| Maks. Güç Dağılımı (Pd) | 62.5 W |
| RDS(on) (Max) | 0.006 Ω |
| Gate Threshold Voltage (VGSth) | ≤ 3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 51.5 nC |
| Rise Time (tr) | 28 ns |
| Output Capacitance (Coss) | 202 pF |
| Maks. Jonksiyon Sıcaklığı (Tj) | 175 °C |
| Paket | TO-252 (DPAK) |
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!