Görsel mevcut değil
HGTP7N60C3D
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 14A 60W TO220AB
HGTP7N60C3D Hakkında
HGTP7N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketi ile Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, maksimum 14A DC ve 56A pulslu kolektor akımı ile çalışır. 60W güç yayılım kapasitesi ve 2V @ 15V, 7A iletkeme gerilimi özellikleri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Düşük tur-on zamanı (165µJ) ve tur-off zamanı (600µJ) ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, inverter devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi durdurulmuş olup (Obsolete), yeni tasarımlarda alternatif bileşen incelenmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
35 ns
Switching Energy
165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V