Görsel mevcut değil
HGTP5N120BND
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
HGTP5N120BND Hakkında
HGTP5N120BND, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 1200V kolektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 21A DC kolektör akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.7V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. 53nC gate charge ve 22ns/160ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Pulsed akım 40A'ye kadar çıkabilir. Enerji tüketimi 450µJ (açılış) ve 390µJ (kapanış) ile bellidir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel motor kontrol, UPS sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında yer alır. Not For New Designs statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
53 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/160ns
Test Condition
960V, 5A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V