Görsel mevcut değil
HGTP3N60A4D
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 17A 70W TO220AB
HGTP3N60A4D Hakkında
HGTP3N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 17A maksimum kolektör akımına ve 70W güç seviyesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 3A akımda 2.7V olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge 21nC, ön kapanış süresi 6ns ve arka kapanış süresi 73ns'dir. 29ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Switching energy değerleri ön için 37µJ, arka için 25µJ olarak belirtilmiştir. Elektrik endüstriyesi, motor kontrol, enerji dönüştürme ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Part Status: Not For New Designs.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
70 W
Reverse Recovery Time (trr)
29 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/73ns
Test Condition
390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V