Görsel mevcut değil
HGTP3N60A4
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 17A 70W TO220AB
HGTP3N60A4 Hakkında
HGTP3N60A4, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 17A sürekli kolektör akımı ve 40A nabız akımı kapasitesine sahiptir. 70W maksimum güç sınırlaması ile tasarlanan cihaz, standart giriş tipi ve 15V gate sürüşü ile çalışır. Switching enerji değerleri 37µJ (açılış) ve 25µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (21nC) ve kısa anahtarlama zamanları (6ns on, 73ns off) ile hızlı komütasyon sağlar. Enerji dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
70 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/73ns
Test Condition
390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V