Görsel mevcut değil
HGTP12N60C3D
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 24A TO220-3
HGTP12N60C3D Hakkında
HGTP12N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 24A DC kolektör akımı ve 96A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 104W güç disipasyonuna olanak tanıyan transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 380µJ turn-on ve 900µJ turn-off anahtarlama enerjisi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak makineleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sağlayan IGBT, 48nC gate charge ve 40ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. 15V gate voltajında 15A kolektör akımında 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
48 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
104 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
380µJ (on), 900µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V