Görsel mevcut değil
HGTP12N60C3
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 24A 104W TO220AB
HGTP12N60C3 Hakkında
HGTP12N60C3, onsemi tarafından üretilen 600V 24A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 104W güç tüketimiyle tasarlanmıştır. 96A pulse collector akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 48nC gate charge ve 2V Vce(on) değerleri ile verimli komütasyon sağlar. 380µJ açılma ve 900µJ kapanma switching enerjisiyle AC motor kontrolü, güç kaynakları, kaynak makinaları ve endüstriyel inverter uygulamalarında yer bulur. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
48 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
380µJ (on), 900µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V