Görsel mevcut değil
HGTP12N60A4D
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 54A TO220-3
HGTP12N60A4D Hakkında
HGTP12N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V/54A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paket formatında sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 167W maksimum güç yeteneği, 78nC gate charge ve 30ns reverse recovery time özellikleri ile enerji dönüştürme, DC-AC inverter, motor sürücü ve güç kaynağı topololojilerinde yer alır. Vce(on) değeri 2.7V@15V/12A olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Switching energy değerleri (55µJ on, 50µJ off) ve hızlı açılış/kapanış süreleri (17ns/96ns) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında etkili komutasyon gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
78 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V