Görsel mevcut değil
HGTP10N120BN
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
HGTP10N120BN Hakkında
HGTP10N120BN, onsemi tarafından üretilen 1200V yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 35A sürekli ve 80A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 298W güç yeteneği ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. NPT tipi IGBT yapısı sayesinde düşük Vce(on) değeri (15V, 10A'de 2.7V) sağlar. Yüksek voltajlı DC-DC konverterler, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not For New Designs durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
298 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
320µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/165ns
Test Condition
960V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V