Görsel mevcut değil
HGTG7N60A4D
HGTG7N60A4D Hakkında
HGTG7N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 34A sürekli kollektör akımı ve 56A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum disipasyon gücü ve 2.7V Vce(on) değeri ile endüstriyel motorlar, güç kaynakları, şarj cihazları ve inverter uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. 37nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği (11ns açılış, 100ns kapanış) enerji verimliliği sunar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
37 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
55µJ (on), 60µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/100ns
Test Condition
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V