Görsel mevcut değil
HGTG40N60A4
HGTG40N60A4 Hakkında
HGTG40N60A4, onsemi tarafından üretilen 600V 75A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, Vce(on) değeri 2.7V (15V, 40A koşullarında) olup 25ns açılış ve 145ns kapanış sürelerine sahiptir. Maksimum gate charge 350nC, pulse akımı 300A'dir. Çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasındadır. Anahtarlama enerjisi on için 400µJ, off için 370µJ'dir. 625W maksimum güç yönetebilen bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında, motor kontrolü, şarj sistemleri ve inverter devrelerinde kullanılır. Dikkat: Parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
350 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
625 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
400µJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/145ns
Test Condition
390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V