Görsel mevcut değil
HGTG30N60C3D
HGTG30N60C3D Hakkında
HGTG30N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 63A sürekli collector akımı ve 252A pulslu akımla çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımında 1.8V olarak belirtilmiştir. 1.05mJ açılış ve 2.5mJ kapanış switching enerji değerleriyle düşük kayıplı anahtarlama performansı sağlar. 162nC gate charge ve 60ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özellikleri vardır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, güç dönüştürücü, inverter ve welding sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 208W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
63 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
252 A
Gate Charge
162 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
208 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V