Görsel mevcut değil
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D Hakkında
HGTG30N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V/75A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 463W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 2.6V düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Pulse akımı 240A'ye kadar çıkabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde zorlu ortamlarda güvenilir performans sağlar. Hızlı switching karakteristiği (Ton: 25ns, Toff: 150ns) ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundir. Inverter, motor kontrol, kaynak makineleri ve AC/DC konvertörler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
225 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
463 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
280µJ (on), 240µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/150ns
Test Condition
390V, 30A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V