Görsel mevcut değil
HGTG27N120BN
HGTG27N120BN Hakkında
HGTG27N120BN, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 1200V kesme voltajı ve 72A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketlemesi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, 500W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Switching energy değerleri (2.2mJ açılış, 2.3mJ kapanış) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar. Güç elektronikleri, AC/DC konvertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Vce(on) değeri 2.7V olup, 15V gate voltajında 27A akımda ölçülmüştür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
216 A
Gate Charge
270 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/195ns
Test Condition
960V, 27A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 27A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V