Görsel mevcut değil
HGTG20N60C3D
HGTG20N60C3D Hakkında
HGTG20N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V 45A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 164W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 91 nC, Vce(on) 1.8V @ 15V/20A'dir. Switching energy değerleri on ve off için 500µJ olarak belirtilmiştir. Maksimum pulse akımı 300A, reverse recovery time 55ns ve sıcaklık aralığı -55°C ~ 150°C'dir. Endüstriyel uygulamalar, motor sürücüler, güç dönüştürücüler ve switched-mode power supplies (SMPS) gibi yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
91 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
164 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
500µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/151ns
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V