Görsel mevcut değil
HGTG20N60B3D
HGTG20N60B3D Hakkında
HGTG20N60B3D, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter gerilimi ve 40A sürekli kolektör akımı kapasitesine sahip IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 165W güç tüketimine kadir olup endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 2V Vce(on) doyum gerilimi ve düşük geçiş kayıpları ile DC-DC dönüştürücüler, invertörler, motor kontrol devreleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 80nC kapı yükü ve 55ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
80 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
165 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
475µJ (on), 1.05mJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V