Görsel mevcut değil
HGTG20N60B3
HGTG20N60B3 Hakkında
HGTG20N60B3, onsemi tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 40A sürekli collector akımı ve 160A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 165W maksimum güç değeri ile endüstriyel uygulamalarda anahtarlama işlemlerinde kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akım için 2V'tir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge karakteristiği (80nC) ile hızlı komütasyonu destekler. Şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır. Güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmıştır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
80 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V