Görsel mevcut değil
HGTG18N120BND
HGTG18N120BND Hakkında
HGTG18N120BND, onsemi tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 54A DC kollektör akımı ve 160A pulse akımı ile çalışabilir. 390W güç kapasitesiyle, elektrik güç dönüşümü uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 2.7V (at 15V, 18A) açık durumda kolektör-emitör gerilimi ve 1.9mJ açılış, 1.8mJ kapanış anahtarlama enerjisiyle verimli çalışma sağlar. Ters toparlanma süresi 75ns olup, hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -55°C ile +150°C (TJ) arasında güvenilir çalışma yapabilir. Not: Bu ürün üretimi sona ermiş durumdadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
165 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
390 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/170ns
Test Condition
960V, 18A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 18A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V