Görsel mevcut değil
HGTG18N120BN
HGTG18N120BN Hakkında
HGTG18N120BN, onsemi tarafından üretilen 1200V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip NPT tipi IGBT transistördür. Maksimum 54A DC collector akımı ve 165A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 390W maksimum güç dağıtımına uygun hale getirilmiştir. 165nC gate charge ve 23ns on-delay ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Endüstriyel elektrik motor kontrolü, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. Şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
165 A
Gate Charge
165 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
390 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
800µJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/170ns
Test Condition
960V, 18A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 18A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V