Görsel mevcut değil
HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D Hakkında
HGTG12N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V 24A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maximum 104W güç dağıtımı yapabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 15A akım altında 2.2V olarak belirlenmiştir. Gate charge 48nC, reverse recovery time 42ns olup, açılış ve kapanış switching enerjileri sırasıyla 380µJ ve 900µJ'dır. İkmal akımı (Icm) 96A'ye kadar destekler. -40°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. Endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrolü ve güç kaynağı devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır. Ürün üretimi durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
48 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
104 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
380µJ (on), 900µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V