Görsel mevcut değil
HGTG12N60B3
HGTG12N60B3 Hakkında
HGTG12N60B3, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 27A DC kollektör akımı ve 110A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 104W maksimum güç dağıtımı ile uygulanabilir, 2.1V (15V gate voltajında, 12A'de) on-state voltajı ve 600V dielektrik dayanımı ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli işletme sağlar. 51nC gate şarjı, 26ns on-time ve 150ns off-time ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
27 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
110 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
150µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/150ns
Test Condition
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V