Görsel mevcut değil
HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D Hakkında
HGTG12N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 54A nominal collector akımı ve 96A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanan bu transistör, 167W maksimum dissipasyon gücüne sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 390V/12A test koşullarında 2.7V Vce(on) değeri gösterir. Reverse recovery time 30ns ve switching energy değerleri (55µJ on, 50µJ off) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, welding equipment ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 78nC gate charge değeri ile kontrol devresi tasarımı kolaylaştırılmıştır. Son üretim süreci (Last Time Buy) olarak tanımlanan ürün, TO-247-3 montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
78 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V