Görsel mevcut değil
HGTG12N60A4
HGTG12N60A4 Hakkında
HGTG12N60A4, onsemi tarafından üretilen 600V 54A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. 167W maksimum güç derecelendirmesine sahip olan cihaz, 96A'ya kadar pulse akımını destekleyebilir. 78nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine ve 55µJ açılış, 50µJ kapanış switching energy'si ile verimli çalışmaya sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu IGBT, endüstriyel motor kontrolü, enerji dönüşüm sistemleri ve güç elektronik uygulamalarında yerini almıştır. Parça güncellenmiş versiyonları kullanılmakta olup bu model obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
78 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V