Görsel mevcut değil
HGTG11N120CND
HGTG11N120CND Hakkında
HGTG11N120CND, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 1200V kollektör-emiter gerilimi ve 43A (pulslu 80A) maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100nC gate charge ve 950µJ açılış/1.3mJ kapanış switching enerji değerleri ile karakterizedir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. İnverter, motor sürücü, kaynak makineleri ve endüstriyel güç elektronik devreleri gibi ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün, yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
43 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
298 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
950µJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/180ns
Test Condition
960V, 11A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 11A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V