Görsel mevcut değil
HGTG11N120CN
HGTG11N120CN Hakkında
HGTG11N120CN, onsemi tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 43A kollektör akımı ve 298W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 100nC gate charge ve düşük switching delay süreleri (on: 23ns, off: 180ns) ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) konumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
43 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
298 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
400µJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/180ns
Test Condition
960V, 11A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 11A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V