Görsel mevcut değil
HGTD7N60C3S9A
HGTD7N60C3S9A Hakkında
HGTD7N60C3S9A, onsemi tarafından üretilen 600V 14A kapasiteli tekil IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde kullanılan bir güç yarı iletkendir. 60W maksimum güç tüketimine ve 56A darbe akımı (Icm) özelliğine sahiptir. Gate şarj değeri 23nC ile kontrol devreleri basitleştirilmiştir. Açık durumda 2V Vce(on) ve kapanış enerjisi 600µJ ile endüstriyel uygulamalarda verimli çalışır. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Parça obsolete (üretilmiyor) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
165µJ (on), 600µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V