Görsel mevcut değil
HGTD3N60C3S9A
HGTD3N60C3S9A Hakkında
HGTD3N60C3S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 6A sürekli collector akımı ve 24A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 33W güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2V'tur. 85µJ açılış ve 245µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Bu IGBT, güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Komponent şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
10.8 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
33 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition
480V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V