Görsel mevcut değil
HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A Hakkında
HGTD1N120BNS9A, onsemi tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5.3A collector akımı ve 60W güç disipasyonuna sahiptir. 1200V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 15ns açılış ve 67ns kapanış süresi ile hızlı switching karakteristiğine sahiptir. Gate charge değeri 14nC'dir. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve benzer yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
6 A
Gate Charge
14 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/67ns
Test Condition
960V, 1A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V