Görsel mevcut değil
HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A Hakkında
HGT1S7N60C3DS9A, onsemi tarafından üretilen 600V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT transistördür. 14A sabit collector akımı ve 56A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 60W maksimum güç dağıtımı, 37ns reverse recovery time ve 165µJ (on) / 600µJ (off) switching energy değerleriyle, motor sürücüleri, inverter devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanabilir. Vce(on) değeri 2V @ 15V, 7A test koşullarında ölçülmüştür. Not: Bu ürün lifecycle'ı tamamlanmış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V