Görsel mevcut değil
HGT1S7N60C3DS
HGT1S7N60C3DS Hakkında
HGT1S7N60C3DS, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 14A maksimum kollektör akımı ve 60W güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 23nC gate charge ve 37ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama yapabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 7A akımda 2V olarak belirtilmiştir. Ön kapama (on) enerjisi 165µJ, kapatma (off) enerjisi 600µJ'dir. Ind motör sürücüleri, şarj cihazları ve kontrol devreleri gibi anahtarlamaya dayalı elektrik sistemlerinde tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete (kullanım dışı) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V