Görsel mevcut değil
HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS Hakkında
HGT1S7N60A4DS, onsemi tarafından üretilen 600V/34A IGBT transistörüdür. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 125W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 37 nC gate charge ve 55µJ on/60µJ off switching energy özellikleriyle orta frekanslı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan bu transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 2.7V Vce(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. Ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
37 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
55µJ (on), 60µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/100ns
Test Condition
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V