Görsel mevcut değil
HGT1S3N60A4DS9A
HGT1S3N60A4DS9A Hakkında
HGT1S3N60A4DS9A, onsemi tarafından üretilen 600V, 17A rated akım ile çalışan bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 70W güç disipasyonuna sahiptir. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile orta-yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 21 nC gate charge ve 6ns/73ns açılış/kapanış gecikmesi ile anahtarlama hızı sunar. Reverse recovery time 29 ns olup, switching enerji değerleri sırasıyla on için 37µJ, off için 25µJ'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, inverter ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
70 W
Reverse Recovery Time (trr)
29 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/73ns
Test Condition
390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V