Görsel mevcut değil
HGT1S2N120CN
HGT1S2N120CN Hakkında
HGT1S2N120CN, onsemi tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. Maximum 13A kolektör akımı ve 104W güç seviyesinde çalışır. TO-262-3 (I²Pak) paket formatında gelen bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Özellikle DC-DC konvertörleri, inverterler ve motor sürücülerinde yer alır. 30nC gate charge ile düşük sürüş gücü gerektirir. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Ürün obsolete durumda olup, mevcut stoklar sınırlıdır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
30 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
TO-262
Switching Energy
96µJ (on), 355µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/205ns
Test Condition
960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 2.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
İlgili Ürünler
