Görsel mevcut değil
HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A Hakkında
HGT1S20N60C3S9A, onsemi tarafından üretilen 600V 45A IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 164W güç tüketimi ile çalışabilir. Collector akımı 45A, pulse akımı ise 300A'ye kadar ulaşabilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 20A collector akımında 1.8V olup, switching enerjisi on durumunda 295µJ, off durumunda 500µJ'dir. Gate charge 91nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve ışık dimmerlemesi gibi alanlarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
91 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
164 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
295µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/151ns
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V