Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A Hakkında
HGT1S20N60A4S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 70A sürekli kolektör akımı ve 280A pulse akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan tek transistör çözümüdür. TO-263AB (D²Pak) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 290W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Standart giriş tipinde çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum sağlar. 142nC kapı yükü ve düşük anahtarlama enerjileriyle (on: 105µJ, off: 150µJ) endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Obsolete olması nedeniyle sınırlı tedarik mevcuttur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Gate Charge
142 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
105µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/73ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
