Görsel mevcut değil
HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A Hakkında
HGT1S20N60A4S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 70A sürekli kolektör akımı ve 280A pulse akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan tek transistör çözümüdür. TO-263AB (D²Pak) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 290W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Standart giriş tipinde çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum sağlar. 142nC kapı yükü ve düşük anahtarlama enerjileriyle (on: 105µJ, off: 150µJ) endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Obsolete olması nedeniyle sınırlı tedarik mevcuttur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Gate Charge
142 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
105µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/73ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V