Görsel mevcut değil
HGT1S20N36G3VL
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
HGT1S20N36G3VL Hakkında
HGT1S20N36G3VL, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 395V kolektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 37.7A kolektör akımı ile çalışır. 150W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 5V gate voltajında 20A'de 1.9V olup, 28.7nC gate charge ve 15µs switch-off zamanı özellikleri vardır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronik devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
37.7 A
Gate Charge
28.7 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C
-/15µs
Test Condition
300V, 10A, 25Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
395 V