Görsel mevcut değil
HGT1S20N35G3VLS
HGT1S20N35G3VLS Hakkında
HGT1S20N35G3VLS, onsemi tarafından üretilen 380V IGBT transistörtür. 20A collector akımı, 150W maksimum güç dağıtımı ve TO-263AB (D²Pak) paketlemesi ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponentin 2.8V on-state voltajı düşük güç kaybı sağlar. 28.7nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel kontroller, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
28.7 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/15µs
Test Condition
300V, 10A, 25Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375 V