Görsel mevcut değil
HGT1S14N36G3VLT
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 390V 18A 100W TO262AA
HGT1S14N36G3VLT Hakkında
HGT1S14N36G3VLT, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262-3 (I²Pak) pakajında sunulan bu bileşen, 390V Vce(SAT) ve 18A maksimum kolektör akımına sahiptir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç invertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24nC gate charge ve 7µs kapalı duruma geçiş süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunmaktadır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Gate Charge
24 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C
-/7µs
Test Condition
300V, 7A, 25Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V