Görsel mevcut değil
HGT1S14N36G3VLS
HGT1S14N36G3VLS Hakkında
HGT1S14N36G3VLS, onsemi tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, 390V collector-emitter breakdown voltajına ve 18A maksimum collector akımına sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100W güç tüketimine ve 2.2V on-state voltajına (5V gate voltajında, 14A akımda) sahiptir. 24nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine (7µs off-time) sahip olan bileşen, güç uygulamalarında kullanılan kontrol devrelerinde yer alır. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Başta endüstriyel motor kontrol, inverter devreleri ve güç yönetimi uygulamaları olmak üzere çeşitli anahtarlama devrelerine uygundur. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Gate Charge
24 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C
-/7µs
Test Condition
300V, 7A, 25Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V