Görsel mevcut değil
HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A Hakkında
HGT1S12N60A4S9A, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 54A kollektör akımı ve 167W maksimum güç yeteneğine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) kasa tipinde üretilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 78nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar ve 17ns açılış, 96ns kapanış gecikmesiyle dinamik performans sunmaktadır. Endüstriyel sürücü devreleri, SMPS (Switch Mode Power Supply) sistemleri ve elektrik motor kontrolü gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
78 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V