Görsel mevcut değil
HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS Hakkında
HGT1S12N60A4DS, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. 54A nominal ve 96A pulsed collector akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 78nC gate charge ve 30ns reverse recovery time özellikleri ile sürücü devresi tasarımında kullanılır. Vce(on) değeri 15V, 12A koşullarında 2.7V olarak belirtilmiştir. Söndürme süresi 96ns, açılma süresi 17ns olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Ürün durumu itibariyle Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
78 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V