Görsel mevcut değil
HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST Hakkında
HGT1S10N120BNST, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT transistördür. 1200V kollektör-emitör diyot geriliminde 35A (darbe akımında 80A) taşıyabilen NPT tipi IGBT'dir. TO-263AB (D²Pak) paket tipinde surface mount olarak monte edilir. 298W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A kolektör akımında 2.7V olarak belirtilmiştir. Gate charge 100nC, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 23ns/165ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
298 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
320µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/165ns
Test Condition
960V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V