Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
H11A817D
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
- Ürün Ailesi
- H11A817D
H11A817D Hakkında
H11A817D, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyon voltajına sahip optoizolatördür. Transistör çıkışlı bu bileşen, galvanik izolasyon gereken uygulamalarda giriş ve çıkış devrelerini elektriksel olarak ayırmak için kullanılır. 4-DIP through-hole paketinde sunulan bileşen, 50mA maksimum DC ileri akımı ve 300-600% arasında değişen Current Transfer Ratio ile karakterizedir. -55°C ile 100°C arasında çalışabilen H11A817D, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devresi ve sinyal yalıtımı gereken uygulamalarda tercih edilir. 2.4µs yükselme/düşme zamanı ve 70V maksimum çıkış voltajı ile düşük hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - DC Forward (If) (Max)
50 mA
Current - Output / Channel
50mA
Current Transfer Ratio (Max)
600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)
300% @ 5mA
Input Type
DC
Mounting Type
Through Hole
Number of Channels
1
Operating Temperature
-55°C ~ 100°C
Output Type
Transistor
Part Status
Obsolete
Rise / Fall Time (Typ)
2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package
4-DIP
Vce Saturation (Max)
200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ)
1.2V
Voltage - Isolation
5300Vrms
Voltage - Output (Max)
70V
