Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
H11A817C
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
- Ürün Ailesi
- H11A817C
H11A817C Hakkında
H11A817C, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyon gerilimi sağlayan optoizolatörlü transistör çıkışlı entegredir. 4-DIP DIP paket ile gelen bu bileşen, giriş ve çıkış devreleri arasında güvenli elektriksel izolasyon sağlar. 50mA maksimum çıkış akımı ve 200-400% akım transfer oranı (CTR) ile kumanda ve sürücü devrelerinde, endüstriyel kontrol uygulamalarında, güç elektronikleri arayüzlerinde ve sinyal kuplajında kullanılır. 70V maksimum çıkış gerilimi ile orta seviye voltaj uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile 100°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - DC Forward (If) (Max)
50 mA
Current - Output / Channel
50mA
Current Transfer Ratio (Max)
400% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)
200% @ 5mA
Input Type
DC
Mounting Type
Through Hole
Number of Channels
1
Operating Temperature
-55°C ~ 100°C
Output Type
Transistor
Part Status
Obsolete
Rise / Fall Time (Typ)
2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package
4-DIP
Vce Saturation (Max)
200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ)
1.2V
Voltage - Isolation
5300Vrms
Voltage - Output (Max)
70V
