Görsel mevcut değil
GT8G133(TE12L,Q)
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 400V 600MW 8TSSOP
GT8G133(TE12L,Q) Hakkında
GT8G133(TE12L,Q), Toshiba tarafından üretilen 400V kollektör-emitter arakesit voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 150A darbe kollektör akımı ve 600mW maksimum güç seviyesinde çalışabilen bu bileşen, yüksek hız anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7µs açılış ve 2µs kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliği sunar. Surface mount paketinde (8-TSSOP) tasarlanmış olup, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Endüstriyel güç dönüştürücü, motor sürücüleri ve anahtarlama regülatör tasarımlarında yaygın olarak uygulanmıştır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Part Status
Obsolete
Power - Max
600 mW
Supplier Device Package
8-TSSOP
Td (on/off) @ 25°C
1.7µs/2µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 4V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V