Görsel mevcut değil
GT60N321(Q)
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
GT60N321(Q) Hakkında
GT60N321(Q), Toshiba tarafından üretilen 1000V/60A IGBT transistördür. TO-3PL paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim ve akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 170W güç yayabilme kapasitesine sahip olan transistör, 330ns açılış ve 700ns kapanış gecikmesi sürelerine sahiptir. Vce(on) değeri 60A'de 2.8V olup, 2.5µs reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda kullanım için uygundur. Pulse akımı 120A'ye kadar çıkabilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-3PL
Part Status
Obsolete
Power - Max
170 W
Reverse Recovery Time (trr)
2.5 µs
Supplier Device Package
TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C
330ns/700ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V