Görsel mevcut değil
GT50J121(Q)
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
GT50J121(Q) Hakkında
GT50J121(Q), Toshiba tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3PL paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50A sürekli kolektör akımı ve 100A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 240W güç derecesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce(on) voltajı 2.45V (15V gate voltajında, 50A'da) olup, switching delay süresi 90ns (on) ve 300ns (off) şeklindedir. Operating junction sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Anahtarlama enerjisi 1.3mJ (on) ve 1.34mJ (off) değerlerindedir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, invertörler ve diğer güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-3PL
Part Status
Obsolete
Power - Max
240 W
Supplier Device Package
TO-3P(LH)
Switching Energy
1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
90ns/300ns
Test Condition
300V, 50A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V